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2007年11月12号，Intel公司正式发布了其基于45纳米制程工艺的处理器，从而进一步巩固了其在处理器市场的领导地位，并拉大了与竞争对手的差距。 而这一切，都归功于英特尔放弃了使用了40年的二氧化硅，采用了一种全新的半导体材料：铪（音：hā）。

就当人们对摩尔定律产生疑问的时候，Intel公司通过潜心研究，在制作工艺和材料方面取得重大突破，并最终让45纳米处理器实现量产。

此次Intel发布了16款之多的”Penryn”系列Xeon处理器。具有更高的性能、更低的功耗、更加环保等特点。新的处理器为大型超级计算机、中小型高性能计算机集群提供更强大的计算能力、更低的成本，以及出色的扩展性和集群水平。

45纳米penryn处理器采用特殊金属材料制成

随着媒体对英特尔45纳米和高K-金属栅极的介绍和评论，让大家开始知道这两个新词汇，所以大家可能有这样的疑问：在处理器量产中采用的45纳米芯片生产工艺和同时提及的高K-金属栅极有什么关系吗？高K-金属栅极到底是什么？为什么说成功研制高K-金属栅极并将之付诸量产是半导体业界里程碑式的技术变革和突破？

为了回答这个问题，让我们来先了解什么45纳米 (nm)生产工艺或者制程 ? 45纳米不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指用于蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。半导体业界习惯上用线宽这个工艺尺寸来代表硅芯片生产工艺的水平。早期的连线采用铝，后来都采用铜连线了。